강사명

발표제목(Title)

전자파 차폐 소재 및 반도체 웨이퍼용 Cu Post Solder Bump 도금

발표요약(Abstract)

전자파 차폐용 도전 섬유의 제조공정 및 플립칩 패키징에 사용되는 반도체 웨이퍼 범프용 Cu post Sn-Ag 도금 공정에 대하여 발표한다.

도전성섬유는 유연성이 양호하고 가공성이 용이하다는 장점뿐만 아니라 전기 접촉면적이 넓기 때문에 전자파차폐 특성도 우수하다는 장점으로부터 각종 전자재료를 비롯한 다양한 분야 및 용도에서 전자파 차페제로 사용되어 왔다. 최근에는 도전성섬유를 구성하고 있는 섬유원단의 종류나 그 위에 도금되는 금속의 종류도 다양화되고 있으며, 전자기기의 소형화 및 고밀도화와 더불어 전자파차폐 부품의 박형화가 가속되어 도전성섬유도 박형화에 대한 요구가 증대되고 있다. 금번 보고에서는 도전섬유의 용도 및 제조 방법, 그 시장의 흐름 및 최근의 개발 방향에 대하여 발표한다,

플립칩 패키징(Flip Chip Packaging)이란 메모리 칩을 기판에 탑재 시 와이어를 이용하는 기존 와이어 본딩 연결 구조 및 볼 그리드 어레이(BGA)와 같은 중간 매체를 사용하지 않고 반도체 칩의 표면에 전극이 되는 범프(bump)를 형성하여 기판에 직접 융착시키는 기술로 패키지가 칩 크기와 같아 기존 제품에 비해 소형화, 경량화, 고집적화가 가능하고 열적 안정성이 뛰어나며 전류 인가율이 높고 반응 속도 또한 빨라지게 된다. 본 연구에서는 bump 형성 기술의 흐름과 이에 따른 도금액의 변화를 짚어보고 향후 기술 발전 방향에 따라 대응 가능한 도금액의 개발 현황을 살펴본다.  특히 대전류용 소자 및 Low-k 디바이스, TSV(Through Silicon Via), CoC(Chip on Chip), DEM(Device Embedded Module)와 같은 최첨단 패키지를 포함한 차세대 디바이스 생산 공정에 필요한 도금 공정을 제공하기 위하여, 40~50㎛ 이하의 미세피치 구현용 고속 Cu 도금 및 Sn-Ag 도금 기술에 관하여 보고한다.

전자파 차폐, 도전성섬유, 무전해도금, Flip Chip, Cu post solder bump, 전기도금