주제: 반도체 웨이퍼 범프용 주석-은 합금 도금

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전자 기기 및 통신 기기의 고기능화에 따른 IC 기술의 진보와 실장기술의 고도화에 의해, 디바이스 동작 속도의 고속화, 전극 밀도의 향상 등이 요구되어지고 있으며, 이를 위해 TAB(Tape Automated Bonding)접속이나 Flip Chip 접속에 의한 Packaging이 급속히 보급되어 지고 있다. Flip Chip Packaging에서 IC Chip을 패드상에 전기적으로 접속시키기 위하여 개발되어진 방법이 웨이퍼 상에 형성된 작은 전기 접점용 돌기(범프 ; Bump)에 의한 접점 기술이다. 웨이퍼 범프의 형성에 있어서, 범프 높이의 균일성, 표면 형상, 합금조성의 균일성, 보이드의 발생 유무 등의 신뢰성은 플립칩 패캐징 공정의 성패를 좌우할 만큼 중요하다. 특히, 고전류밀도에서의 협피치 범프의 경우에는 신뢰성 문제를 해결하는 것이 고속도금을 구현하고 원가절감 및 생산성 향상을 꾀하는데 중요한 열쇠가 된다. 본 보고는 Sn-Ag 범프 도금에서 도금액의 종류 및 전류밀도, 교반속도, 음극회전속도 등이 범프 두께편차, 표면형상, Ag 함유량, 생산 수율, 보이드의 형성 유무 등에 미치는 영향에 대하여 발표한다.